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GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

The method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of GaN single crystal substrate
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 32188-2015
  • 名称:
    氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
  • 英文名称:
    The method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of GaN single crystal substrate
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2015-12-10
  • 实施日期:
    2016-11-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
分类信息
描述信息
  • 前言:
    本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
    本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
    本标准起草单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、中国科学院物理研究所、北京天科合达蓝光半导体有限公司、丹东新东方晶体仪器有限公司。
    本标准主要起 草 人:邱 永 鑫、任 国 强、刘 争 晖、曾 雄 辉、王 建 峰、陈 小 龙、王 文 军、郑 红 军、徐 科、赵松彬。
  • 适用范围:
     本标准规定了利用双晶X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。  本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化镓单晶衬底片。
  • 引用标准:
    下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
    GB/T14264 半导体材料术语
相关标准
  • 引用标准:
    GB/T 14264
相关部门
  • 归口单位:
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
  • 主管部门:
    国家标准化管理委员会
  • 起草单位:
    中国科学院物理研究所 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州纳维科技有限公司 丹东新东方晶体仪器有限公司 北京天科合达蓝光半导体有限公司
相关人员
暂无
关联标准