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GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法

Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 32495-2016
  • 名称：
    表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
  • 英文名称：
    Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2016-02-24
  • 实施日期：
    2017-01-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《紧固件 外螺纹零件末端》等279项国家】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016 atoms/cm3～2.5×1021 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50 nm及以上。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 20176-2006 GB/T 25186-2010 ISO 18115-1
  • 采用标准：
    ISO 12406:2010 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法 （等同采用 IDT）
相关部门
  • 起草单位：
    中国电子科技集团公司第四十六研究所
  • 主管部门：
    国家标准化管理委员会
  • 归口单位：
    38) 全国微束标准化技术委员会(SAC/TC
相关人员
暂无
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