收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 32280-2015 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法
Test method for warp of silicon wafers—Automated non-contact scanning method
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
冶金(77)
金属材料试验(77.040)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
金属理化性能试验方法(H20/29)
金属物理性能试验方法(H21)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
-
前言:
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、东莞市华源光电科技有限公司。
本标准主要起草人:孙燕、何宇、徐新华、王飞尧、张海英、楼春兰、向兴龙。
-
适用范围:
本标准规定了硅片翘曲度的非破坏性、自动非接触扫描测试方法。本标准适用于直径不小于50 mm,厚度不小于100 μm的洁净、干燥的切割、研磨、腐蚀、抛光、刻蚀、外延或其他表面状态硅片的翘曲度测试。本方法可用于监控因热效应和(或)机械效应引起的硅片翘曲,也可用于砷化镓、蓝宝石等其他半导体晶片的翘曲度测试。
-
引用标准:
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB50073—2013 洁净厂房设计规范
相关标准
相关部门
-
归口单位:
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
203/SC
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
-
起草单位:
有研半导体材料有限公司
浙江金瑞泓科技股份有限公司
上海合晶硅材料有限公司
浙江省硅材料质量检验中心
东莞市华源光电科技有限公司
杭州海纳半导体有限公司
-
主管部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
相关人员
关联标准
-
GB/T 3655-2008
用爱泼斯坦方圈测量电工钢片(带)磁性能的方法
-
YS/T 629.5-2007
高纯氧化铝化学分析方法 氧化钙、氧化镁含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
-
SN/T 2081-2008
氧化铝中杂质元素含量的测定 微波溶样ICP-AES法
-
YS/T 273.10-2006
冰晶石化学分析方法和物理性能测定方法 第10部分:重量法测定游离氧化铝含量
-
GB/T 40279-2021
硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法
-
GB 10562-1989
金属材料超低膨账系数测定方法 光干涉法
-
YS/T 464-2003
阴极铜直读光谱分析方法
-
YS/T 273.1-2006
冰晶石化学分析方法和物理性能测定方法 第1部分:重量法测定湿存水含量
-
GB/T 22587-2008
基体与超导体体积比测量 Cu/Nb-Ti复合超导体铜-超[体积]比的测量
-
GB/T 6526-1986
自熔合金粉末固-液相线温度区间的测定方法
-
DB61/T 526-2011
陕西省立式圆筒形钢制焊接储罐定期检验规则
-
GB/T 40380.1-2021
金属粉末 高温时松装密度和流速的测定 第1部分:高温时松装密度的测定
-
YS/T 273.6-2006
冰晶石化学分析方法和物理性能测定方法 第6部分:钼蓝分光光度法测定二氧化硅含量
-
YB/T 5360-2006
金属材料定量极图的测定
-
YS/T 366-1994
贵金属及其合金材料对铜热电势测量方法
-
GB/T 4196-1984
钨、钼条密度测定方法
-
GB/T 41153-2021
碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
-
GB/T 11112-1989
有色金属大气腐蚀试验方法
-
GB/T 3658-2008
软磁材料交流磁性能环形试样的测量方法
-
GB/T 2522-2007
电工钢片(带)表面绝缘电阻、涂层附着性测试方法