收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 32280-2015 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法
Test method for warp of silicon wafers—Automated non-contact scanning method
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
冶金（77）
金属材料试验（77.040）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属理化性能试验方法（H20/29）
金属物理性能试验方法（H21）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
-
前言：
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、东莞市华源光电科技有限公司。
本标准主要起草人:孙燕、何宇、徐新华、王飞尧、张海英、楼春兰、向兴龙。
-
适用范围：
本标准规定了硅片翘曲度的非破坏性、自动非接触扫描测试方法。本标准适用于直径不小于50 mm，厚度不小于100 μm的洁净、干燥的切割、研磨、腐蚀、抛光、刻蚀、外延或其他表面状态硅片的翘曲度测试。本方法可用于监控因热效应和（或）机械效应引起的硅片翘曲，也可用于砷化镓、蓝宝石等其他半导体晶片的翘曲度测试。
-
引用标准：
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB50073—2013 洁净厂房设计规范
相关标准
相关部门
-
归口单位：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
203/SC
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
-
起草单位：
有研半导体材料有限公司
浙江金瑞泓科技股份有限公司
上海合晶硅材料有限公司
浙江省硅材料质量检验中心
东莞市华源光电科技有限公司
杭州海纳半导体有限公司
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
相关人员
关联标准
-
GB/T 6624-1995
硅抛光片表面质量目测检验方法
-
YS/T 1161.2-2016
拟薄水铝石分析方法 第2部分：烧失量的测定 重量法
-
GB/T 17200-1997
橡胶塑料拉力、压力、弯曲试验机 技术要求
-
GB/T 6619-1995
硅片弯曲度测试方法
-
GB/T 30653-2014
Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
-
DB53/T 748-2016
云南省工业硅粉粒度的测定 自动振筛法
-
GB/T 1482-1984
金属粉末流动性的测定 标准漏斗法 (霍尔流速计)
-
GB/T 34482-2017
建筑用铝合金隔热型材传热系数测定方法
-
YS/T 26-1992
硅片边缘轮廓检验方法
-
JB/T 7900-1995
高电阻电热合金电阻随温度变化的试验方法
-
GB/T 32278-2015
碳化硅单晶片平整度测试方法
-
GB/T 8360-1987
金属点阵常数的测定方法 X射线衍射仪法
-
YS/T 533-2006
自熔合金粉末固-液相线温度区间的测定方法
-
SN/T 2081-2008
氧化铝中杂质元素含量的测定 微波溶样ICP-AES法
-
GB/T 6885-1986
硬质合金 混合粉取样和试验方法
-
GB/T 6521-1986
氧化铝粉末安息角的测定
-
GB/T 12966-1991
铝合金电导率涡流测试方法
-
GB/T 4060-1983
硅多晶真空区熔基硼检验方法
-
GB/T 33908-2017
铝电解质初晶温度测定技术规范
-
YS/T 535.3-2009
氟化钠化学分析方法 第3部分：硅含量的测定 钼蓝分光光度法
打开设置，点击
执行注册
