收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 32816-2016 硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范
Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for criterion of the combination of the deep etching and bonding process
基本信息
-
标准号：
GB/T 32816-2016
-
名称：
硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范
-
英文名称：
Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for criterion of the combination of the deep etching and bonding process
-
状态：
现行
-
类型：
国家标准
-
性质：
推荐性
-
发布日期：
2016-08-29
-
实施日期：
2017-03-01
-
废止日期：
暂无
-
相关公告：
实施公告【关于批准发布《几何光学术语、符号》等319项国家标准的公告】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类：
【
电子学（31）
集成电路、微电子学（31.200）
】
-
CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
微电路（L55/59）
微电路综合（L55）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 38446-2020
微机电系统（MEMS）技术 带状薄膜抗拉性能的试验方法
-
GB/T 28274-2012
硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则
-
GB/T 12845-1991
半导体集成电路非线性电路系列和品种 电压/ 频率和频率/ 电压转换器的品种
-
GB/T 14112-2015
半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范
-
GB/T 3434-1986
半导体集成电路ECL电路系列和品种
-
GB/T 4855-1984
半导体集成电路线性放大器系列和品种
-
SJ 50597/61-2005
半导体集成电路JW1083/JW1084/JW1085/JW1086型三端可调正输出低压差电压调整器详细规范
-
GB/T 38762.3-2020
产品几何技术规范（GPS） 尺寸公差 第3部分：角度尺寸
-
GB/T 15650-1995
半导体集成电路系列和品种 CMOS门阵列电路系列的品种
-
GB/T 9423-1988
半导体集成TTL电路系列和品种 54/74 ALS 系列的品种
-
GB/T 15877-1995
蚀刻型双列封装引线框架规范
-
GB/T 14619-1993
厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
-
GB/T 5965-2000
半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第一篇 双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列) 空白详细规范
-
SJ 20954-2006
集成电路锁定试验
-
GB/T 17572-1998
半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路 4000B和4000UB系列族规范
-
GB/T 17574.9-2006
半导体器件 集成电路 第2-9部分：数字集成电路 紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范
-
GB/T 38341-2019
微机电系统（MEMS）技术 MEMS器件的可靠性综合环境试验方法
-
GB/T 33929-2017
MEMS高g值加速度传感器性能试验方法
-
GB/T 17865-1999
焦深与最佳聚焦的测量规范
-
GB/T 35011-2018
微波电路 压控振荡器测试方法
打开设置，点击
执行注册
