GB/T 33236-2016 多晶硅痕量元素化学分析辉光放电质谱法

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Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method

基本信息

标准号：

GB/T 33236-2016
名称：

多晶硅痕量元素化学分析辉光放电质谱法
英文名称：

Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method
状态：

现行
类型：

国家标准
性质：

推荐性
发布日期：

2016-12-13
实施日期：

2017-11-01
废止日期：

暂无
相关公告：

实施公告【关于批准发布《新型智慧城市评价指标》等292项国家标准和23项国家标准外文版公告】

分类信息

描述信息

前言：

暂无
适用范围：

本标准规定了采用辉光放电质谱(GDMS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测量范围是本方法的检出限至0.1%（质量分数)，检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正，也可以测量质量分数大于0.1%的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。
引用标准：

暂无