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GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法

Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 33236-2016
  • 名称：
    多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法
  • 英文名称：
    Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2016-12-13
  • 实施日期：
    2017-11-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《新型智慧城市评价指标》等292项国家标准和23项国家标准外文版公告】
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分类信息
  • ICS分类：
    【 化工技术（71） 分析化学（71.040） 化学分析（71.040.40） 】
  • CCS分类：
    【 化工（G） 化工综合（G00/09） 基础标准与通用方法（G04） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了采用辉光放电质谱(GDMS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测量范围是本方法的检出限至0.1%（质量分数)，检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正，也可以测量质量分数大于0.1%的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 6682 ISO/TS 15338:2009
相关部门
  • 起草单位：
    中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 主管部门：
    国家标准化管理委员会
  • 归口单位：
    全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC 38)
相关人员
暂无
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