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GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 33657-2017
  • 名称：
    纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
  • 英文名称：
    Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2017-05-12
  • 实施日期：
    2017-12-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《农历的编算和颁行》等334项国家标准的公告】
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分类信息
  • ICS分类：
    【 电子学（31） 集成电路、微电子学（31.200） 】
  • CCS分类：
    【 电子元器件与信息技术（L） 微电路（L55/59） 半导体集成电路（L56） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元，100 nm～300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 引用标准：
    GB 4793.1-2007 GB/T 9178 GB/T 11464 GB/T 13970 GB/T 13978
相关部门
  • 提出部门：
    中国科学院
  • 起草单位：
    中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 归口单位：
    全国纳米技术标准化技术委员会(SAC/TC 279)
相关人员
暂无
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