收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
基本信息
-
标准号:
GB/T 33657-2017
-
名称:
纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
-
英文名称:
Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
-
状态:
现行
-
类型:
国家标准
-
性质:
推荐性
-
发布日期:
2017-05-12
-
实施日期:
2017-12-01
-
废止日期:
暂无
-
相关公告:
实施公告【关于批准发布《农历的编算和颁行》等334项国家标准的公告】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类:
【
电子学(31)
集成电路、微电子学(31.200)
】
-
CCS分类:
【
电子元器件与信息技术(L)
微电路(L55/59)
半导体集成电路(L56)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 16523-1996
圆形石英玻璃光掩模基板规范
-
GB/T 13062-1991
膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(可供认证用)
-
GB/T 34894-2017
微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构应变梯度测量方法
-
GB/T 32816-2016
硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范
-
SJ 50597/59-2003
半导体集成电路 JB523型宽带对数放大器详细规范
-
GB/T 35005-2018
集成电路倒装焊试验方法
-
SJ/Z 11353-2006
集成电路IP核转让规范
-
SJ 50597/58-2003
半导体集成电路 JB726型限幅放大鉴频器详细规范
-
GB 11498-1989
膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)(可供认证用)
-
GB/T 6648-1986
半导体集成电路静态读/ 写存储器空白详细规范(可供认证用)
-
GB/T 17866-1999
掩模缺陷检查系统灵敏度分析所用的特制缺陷掩模和评估测量方法准则
-
GB/T 33929-2017
MEMS高g值加速度传感器性能试验方法
-
SJ/Z 11356-2006
片上总线属性规范
-
GB/T 6798-1996
半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理
-
GB/T 3434-1986
半导体集成电路ECL电路系列和品种
-
GB/T 15136-1994
半导体集成电路石英钟表电路测试方法的基本原理
-
GB/T 12750-1991
半导体集成电路分规范 (不包括混合电路) (可供认证用)
-
GB/T 9178-1988
集成电路术语
-
GB/T 16527-1996
硬面感光板中光致抗蚀剂和电子束抗蚀剂规范
-
SJ 50597/56-2002
半导体集成电路JW920型PIN驱动器详细规范