GB/T 33657-2017 纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

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Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells

基本信息

标准号：

GB/T 33657-2017
名称：

纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
英文名称：

Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
状态：

现行
类型：

国家标准
性质：

推荐性
发布日期：

2017-05-12
实施日期：

2017-12-01
废止日期：

暂无
相关公告：

实施公告【关于批准发布《农历的编算和颁行》等334项国家标准的公告】

分类信息

描述信息

前言：

暂无
适用范围：

本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元，100 nm～300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
引用标准：

暂无