收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
基本信息
-
标准号：
GB/T 33657-2017
-
名称：
纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
-
英文名称：
Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
-
状态：
现行
-
类型：
国家标准
-
性质：
推荐性
-
发布日期：
2017-05-12
-
实施日期：
2017-12-01
-
废止日期：
暂无
-
相关公告：
实施公告【关于批准发布《农历的编算和颁行》等334项国家标准的公告】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类：
【
电子学（31）
集成电路、微电子学（31.200）
】
-
CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
微电路（L55/59）
半导体集成电路（L56）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 35010.8-2018
半导体芯片产品 第8部分：数据交换的EXPRESS格式
-
GB/T 17574.20-2006
半导体器件 集成电路 第2-20部分：数字集成电路 低压集成电路族规范
-
GB/T 12842-1991
膜集成电路和混合膜集成电路术语
-
GB/T 3434-1986
半导体集成电路ECL电路系列和品种
-
GB/T 35007-2018
半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法
-
GB/T 16526-1996
封装引线间电容和引线负载电容测试方法
-
SJ/Z 11361-2006
集成电路IP核保护大纲
-
GB/T 4377-2018
半导体集成电路 电压调整器测试方法
-
SJ/T 10741-2000
半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理
-
GB/T 14113-1993
半导体集成电路封装术语
-
GB/T 17574.9-2006
半导体器件 集成电路 第2-9部分：数字集成电路 紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范
-
GB/T 15650-1995
半导体集成电路系列和品种 CMOS门阵列电路系列的品种
-
GB/T 6800-1986
半导体集成音响电路音频功率放大器测试方法的基本原理
-
GB/T 6813-1986
半导体集成非线性电路系列和品种 时基电路的品种
-
JB/T 6264.1-1992
半导体集成电路SJ213CP中英文打字机专用电路产品规范
-
GB/T 15862-1995
离子注入机通用技术条件
-
SJ/T 11477-2014
IP核交付项规范
-
SJ 20158-1992
半导体集成电路JT54S151、JT54S153和JT54S157型S—TTL 数据选择器详细规范
-
GB/T 12084-1989
半导体集成电路TTL 电路系列和品种 54/74F系列的品种
-
GB/T 13062-2018
半导体器件 集成电路 第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(采用鉴定批准程序)
打开设置，点击
执行注册
