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T/IAWBS 001-2017 碳化硅单晶

Monocrystalline silicon carbide
基本信息
  • 标准号：
    T/IAWBS 001-2017
  • 名称：
    碳化硅单晶
  • 英文名称：
    Monocrystalline silicon carbide
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    团体标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2017-12-20
  • 实施日期：
    2017-12-31
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    暂无
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分类信息
  • ICS分类：
    【 电气工程（29） 半导体材料（29.045） 】
  • CCS分类：
    【 冶金（H） 半金属与半导体材料（H80/84） 半金属与半导体材料综合（H80） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了4H及6H碳化硅单晶的必要的相关性术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
    本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶。产品主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件的外延衬底。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 1555 GB/T 2828.1 GB/T 13387 GB/T 13388 GB/T 14264 GB/T 30656-2014 GB/T 30866-2014 GB/T 31351-2014 GB/T 33236-2016
相关部门
  • 起草单位：
    中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 北京天科合达半导体股份有限公司 北京天科合达新材料有限公司 新疆天科合达半导体股份有限公司等
相关人员
  • 起草人：
    陆敏 刘振洲 彭同华 郑红军 王文军 林健 闫果果 刘春俊 何丽娟 钮应喜 彭燕 陈海芹
关联标准
  • GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
  • GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片
  • GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
  • GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
  • SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
  • GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
  • GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片
  • GB/T 14264-2009 半导体材料术语
  • GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
  • GB/T 30861-2014 太阳能电池用锗衬底片
  • YS 68-2004 砷
  • GB/T 36706-2018 磷化铟多晶
  • GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
  • SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法
  • YS/T 43-2011 高纯砷
  • GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法
  • GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
  • GB/T 35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
  • SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
  • GB/T 20229-2006 磷化镓单晶
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