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T/IAWBS 002-2017 碳化硅外延片表面缺陷测试方法

Test method of surface defects for silicon carbide epitaxial wafers
基本信息
  • 标准号：
    T/IAWBS 002-2017
  • 名称：
    碳化硅外延片表面缺陷测试方法
  • 英文名称：
    Test method of surface defects for silicon carbide epitaxial wafers
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    团体标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2017-12-20
  • 实施日期：
    2017-12-31
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    暂无
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分类信息
  • ICS分类：
    【 冶金（77） 金属材料试验（77.040） 金属材料试验综合（77.040.01） 】
  • CCS分类：
    【 电子元器件与信息技术（L） 电子元件（L10/34） 电感器、变压器（L17） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法。 本标准适用于同质的超过（含）2 μm厚的碳化硅外延层。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 14264 GB/T 19921-2005 ASTM F1620
相关部门
  • 起草单位：
    全球能源互联网研究院有限公司 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 东莞市天域半导体科技有限公司等
相关人员
  • 起草人：
    钮应喜 杨霏 温家良 吴军民 潘艳 陈志霞 刘丹 冯淦 张新河 田亮 田红林 吴昊 李玲 李永平 张文婷 李嘉琳 焦倩倩 李赟 王英民 贾仁需 刘兴昉 陆敏 彭同华 刘振洲
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