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GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法

Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 14142-2017
  • 名称：
    硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
  • 英文名称：
    Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2017-09-29
  • 实施日期：
    2018-04-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《小型游乐设施安全规范》等237项国家标准和3项国家标准修改单的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2 μm，缺陷密度的测试范围0～10 000 cm-2。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 代替标准：
    GB/T 14142-1993
  • 引用标准：
    GB/T 14264 GB/T 30453
相关部门
  • 归口单位：
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 起草单位：
    南京国盛电子有限公司 有研半导体材料有限公司 浙江金瑞泓科技股份有限公司
  • 主管部门：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员
相关人员
暂无
关联标准