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GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
冶金（77）
金属材料试验（77.040）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
金属理化性能试验方法（H20/29）
金属化学性能试验方法（H25）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
-
代替标准：
GB/T 14142-1993
-
引用标准：
GB/T 14264
GB/T 30453
相关部门
-
归口单位：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位：
南京国盛电子有限公司
有研半导体材料有限公司
浙江金瑞泓科技股份有限公司
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员
相关人员
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