收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
基本信息
-
标准号:
GB/T 34900-2017
-
名称:
微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
-
英文名称:
Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
-
状态:
现行
-
类型:
国家标准
-
性质:
推荐性
-
发布日期:
2017-11-01
-
实施日期:
2018-05-01
-
废止日期:
暂无
-
相关公告:
实施公告【关于批准发布《标准电压》等585项国家标准和2项国家标准修改单的公告】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类:
【
电子学(31)
集成电路、微电子学(31.200)
】
-
CCS分类:
【
电子元器件与信息技术(L)
微电路(L55/59)
微电路综合(L55)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 15297-1994
微电路模块机械和气候试验方法
-
GB/T 35002-2018
微波电路 频率源测试方法
-
GB/T 35004-2018
数字集成电路 输入/输出电气接口模型规范
-
GB/T 16524-1996
光掩模对准标记规范
-
GB/T 16465-1996
膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用能力批准程序)
-
SJ 20802-2001
集成电路金属外壳目检标准
-
GB/T 34893-2017
微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量方法
-
GB/T 12842-1991
膜集成电路和混合膜集成电路术语
-
GB/T 4377-2018
半导体集成电路 电压调整器测试方法
-
GB/T 15431-1995
微电路模块总规范
-
SJ/Z 11359-2006
集成电路IP核开发与集成的功能验证分类法
-
GB/T 12750-2006
半导体器件 集成电路 第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路)
-
GB/T 17574.9-2006
半导体器件 集成电路 第2-9部分:数字集成电路 紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范
-
GB/T 32814-2016
硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范
-
GB/T 15138-1994
膜集成电路和混合集成电路外形尺寸
-
SJ 20938-2005
微波电路变频测试方法
-
GB/T 20296-2012
集成电路记忆法与符号
-
GB/T 14129-1993
半导体集成电路TTL电路系列和品种 PAL系列的品种
-
GB/T 16466-1996
膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(采用能力批准程序)
-
GB/T 6815-1986
半导体集成非线性电路系列和品种 锁相环的品种