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GB/T 34900-2017 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 34900-2017
  • 名称：
    微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
  • 英文名称：
    Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2017-11-01
  • 实施日期：
    2018-05-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《标准电压》等585项国家标准和2项国家标准修改单的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁结构。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 3505 GB/T 26111 GB/T 26113 GB/T 34893-2017
相关部门
  • 主管部门：
    国家标准化管理委员会
  • 起草单位：
    中机生产力促进中心 天津大学 中国电子科技集团公司第十三研究所 南京理工大学 国家仪器仪表元器件质量监督检验中心
  • 归口单位：
    全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
相关人员
暂无
关联标准