收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
基本信息
-
标准号:
GB/T 34900-2017
-
名称:
微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
-
英文名称:
Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
-
状态:
现行
-
类型:
国家标准
-
性质:
推荐性
-
发布日期:
2017-11-01
-
实施日期:
2018-05-01
-
废止日期:
暂无
-
相关公告:
实施公告【关于批准发布《标准电压》等585项国家标准和2项国家标准修改单的公告】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类:
【
电子学(31)
集成电路、微电子学(31.200)
】
-
CCS分类:
【
电子元器件与信息技术(L)
微电路(L55/59)
微电路综合(L55)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 32817-2016
半导体器件 微机电器件 MEMS总规范
-
GB/T 3435-1987
半导体集成CMOS电路系列和品种 4000系列的品种
-
GB/T 17572-1998
半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路 4000B和4000UB系列族规范
-
GB/T 15877-1995
蚀刻型双列封装引线框架规范
-
GB/T 32814-2016
硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范
-
SJ/Z 11351-2006
用于描述、选择和转让的集成电路IP核属性格式标准
-
GB/T 19248-2003
封装引线电阻测试方法
-
GB/T 18500.1-2001
半导体器件 集成电路 第4部分:接口集成电路 第一篇:线性数字/模拟转换器(DAC)空白详细规范
-
GB/T 8976-1996
膜集成电路和混合膜集成电路总规范
-
SJ/Z 11355-2006
集成电路IP/SoC功能验证规范
-
GB/T 15138-1994
膜集成电路和混合集成电路外形尺寸
-
GB/T 3434-1986
半导体集成电路ECL电路系列和品种
-
GB/T 12750-1991
半导体集成电路分规范 (不包括混合电路) (可供认证用)
-
GB/T 34894-2017
微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构应变梯度测量方法
-
GB 3430-1989
半导体集成电路型号命名方法
-
GB/T 14862-1993
半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法
-
GB/T 14027.2-1992
半导体集成电路通信电路系列和品种 脉码调制编译码器系列品种
-
GB/T 15878-1995
小外形封装引线框架规范
-
GB 12199-1990
非广播盒式磁带录像机环境要求和试验方法
-
GB 11498-1989
膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)(可供认证用)