收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 34900-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
基本信息
-
标准号:
GB/T 34900-2017
-
名称:
微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法
-
英文名称:
Micro-electromechanical system technology—Measuring method for residual strain measurements of MEMS microstructures using an optical interferometer
-
状态:
现行
-
类型:
国家标准
-
性质:
推荐性
-
发布日期:
2017-11-01
-
实施日期:
2018-05-01
-
废止日期:
暂无
-
相关公告:
实施公告【关于批准发布《标准电压》等585项国家标准和2项国家标准修改单的公告】
-
-
阅读或下载
使用APP、PC客户端等功能更强大
-
网页在线阅读
体验阅读、搜索等基本功能
-
用户分享资源
来自网友们上传分享的文件
-
纸书购买
平台官方及网友推荐
分类信息
-
ICS分类:
【
电子学(31)
集成电路、微电子学(31.200)
】
-
CCS分类:
【
电子元器件与信息技术(L)
微电路(L55/59)
微电路综合(L55)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
SJ/T 11699-2018
IP核可测性设计指南
-
GB/T 16524-1996
光掩模对准标记规范
-
GB/T 17574-1998
半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路
-
GB/T 3430-1989
半导体集成电路型号命名方法
-
GB/T 34899-2017
微机电系统(MEMS)技术 基于拉曼光谱法的微结构表面应力测试方法
-
GB/T 6812-1986
半导体集成非线性电路系列和品种 模拟乘-除法器的品种
-
GB/T 6800-1986
半导体集成音响电路音频功率放大器测试方法的基本原理
-
GB/T 32815-2016
硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范
-
GB/T 15297-1994
微电路模块机械和气候试验方法
-
SJ/T 11700-2018
IP核质量信息描述方法
-
GB/T 18500.1-2001
半导体器件 集成电路 第4部分:接口集成电路 第一篇:线性数字/模拟转换器(DAC)空白详细规范
-
YD/T 3944-2021
人工智能芯片基准测试评估方法
-
SJ/Z 11360-2006
集成电路IP核信号完整性规范
-
GB/T 16464-1996
半导体器件 集成电路 第1部分:总则
-
GB/T 14029-1992
半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
-
DB44/T 633-2009
广东省锂离子电池保护电路板技术要求
-
GB/T 4377-2018
半导体集成电路 电压调整器测试方法
-
SJ 50597/60-2004
半导体集成电路 JW117/JW150/JW138型三端可调正输出电压调整器详细规范
-
GB/T 16523-1996
圆形石英玻璃光掩模基板规范
-
GB/T 28275-2012
硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范