收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 25074-2017 太阳能级多晶硅
Solar-grade polycrystalline silicon
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
归口单位:
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位:
有色金属技术经济研究院
新特能源股份有限公司
江苏中能硅业科技发展有限公司
亚洲硅业(青海)有限公司
宜昌南玻硅材料有限公司
洛阳中硅高科技有限公司
内蒙古神舟硅业有限责任公司
多晶硅材料制备国家工程实验室
-
主管部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员
相关人员
关联标准
-
GB/T 16595-2019
晶片通用网格规范
-
GB/T 8756-2018
锗晶体缺陷图谱
-
SJ/T 11501-2015
碳化硅单晶晶型的测试方法
-
GB/T 26069-2010
硅退火片规范
-
GB 12964-1991
硅单晶抛光片
-
GB/T 11094-2020
水平法砷化镓单晶及切割片
-
YS/T 13-2015
高纯四氯化锗
-
GB/T 25074-2017e
太阳能级多晶硅
-
GB/T 30652-2014
硅外延用三氯氢硅
-
GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
-
GB/T 1554-2009
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
-
GB/T 30866-2014
碳化硅单晶片直径测试方法
-
GB/T 1558-1997
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
-
GB/T 40566-2021
流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
SJ/T 11502-2015
碳化硅单晶抛光片规范
-
GB/T 26071-2010
太阳能电池用硅单晶切割片
-
GB/T 6618-2009
硅片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 20230-2022
磷化铟单晶
-
SJ/T 11496-2015
红外吸收法测量砷化镓中硼含量
-
GB/T 14139-2019
硅外延片