收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 25074-2017 太阳能级多晶硅
Solar-grade polycrystalline silicon
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
元素半导体材料（H82）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
归口单位：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位：
有色金属技术经济研究院
新特能源股份有限公司
江苏中能硅业科技发展有限公司
亚洲硅业(青海)有限公司
宜昌南玻硅材料有限公司
洛阳中硅高科技有限公司
内蒙古神舟硅业有限责任公司
多晶硅材料制备国家工程实验室
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员
相关人员
关联标准
-
GB/T 6619-2009
硅片弯曲度测试方法
-
YS/T 838-2012
碲化镉
-
T/IAWBS 003-2017
碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
-
T/IAWBS 001-2017
碳化硅单晶
-
SJ/T 11552-2015
以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
-
GB 2881-1991
工业硅技术条件
-
YS/T 28-1992
硅片包装
-
SJ/T 11487-2015
半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法
-
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
-
GB/T 35310-2017
200mm硅外延片
-
GB/T 4058-2009
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
-
SJ/T 11490-2015
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
-
YS/T 1167-2016
硅单晶腐蚀片
-
GB 12963-1991
硅多晶
-
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
-
GB/T 17170-1997
非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
-
YS/T 979-2014
高纯三氧化二镓
-
GB/T 24582-2009
酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
-
YS/T 23-1992
硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法
打开设置，点击
执行注册
