收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 25074-2017 太阳能级多晶硅
Solar-grade polycrystalline silicon
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
元素半导体材料（H82）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
归口单位：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位：
有色金属技术经济研究院
新特能源股份有限公司
江苏中能硅业科技发展有限公司
亚洲硅业(青海)有限公司
宜昌南玻硅材料有限公司
洛阳中硅高科技有限公司
内蒙古神舟硅业有限责任公司
多晶硅材料制备国家工程实验室
-
主管部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员
相关人员
关联标准
-
GB/T 1554-2009
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
-
GB/T 29508-2013
300mm 硅单晶切割片和磨削片
-
GB/T 24582-2009
酸浸取 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
-
GB/T 11072-2009
锑化铟多晶、单晶及切割片
-
GB/T 29505-2013
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
-
YS/T 1160-2016
工业硅粉定量相分析 二氧化硅含量的测定 X射线衍射K值法
-
T/IAWBS 001-2017
碳化硅单晶
-
GB/T 6618-2009
硅片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 14139-2009
硅外延片
-
YS/T 724-2009
硅粉
-
GB/T 26071-2010
太阳能电池用硅单晶切割片
-
GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
-
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
-
GB/T 24575-2009
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范
-
GB/T 20230-2006
磷化铟单晶
-
YS/T 1167-2016
硅单晶腐蚀片
-
GB/T 26069-2022
硅单晶退火片
-
GB/T 11094-2007
水平法砷化镓单晶及切割片
-
GB 12962-1991
硅单晶
打开设置，点击
执行注册
