收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱
Collection of metallographs on defects of sapphire crystal
基本信息
分类信息
-
ICS分类：
【
电气工程（29）
半导体材料（29.045）
】
-
CCS分类：
【
冶金（H）
半金属与半导体材料（H80/84）
半金属与半导体材料综合（H80）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
归口单位：
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位：
有色金属技术经济研究院
中国科学院上海光学精密机械研究所
中国科学院新疆理化技术研究所
东莞市中镓半导体科技有限公司
天津三安光电有限公司
丹东新东方晶体仪器有限公司
江苏吉星新材料有限公司
新疆紫晶光电技术有限公司
上海大恒光学精密机械有限公司
江苏浩瀚蓝宝石科技有限公司
苏州恒嘉晶体材料有限公司
江西东海蓝玉光电科技有限公司
-
主管部门：
国家标准化管理委员会
相关人员
关联标准
-
GB/T 17169-1997
硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
-
GB/T 29054-2012
太阳能级铸造多晶硅块
-
GB/T 29506-2013
300mm 硅单晶抛光片
-
GB/T 12963-2009
硅多晶
-
YS/T 43-1992
高纯砷
-
GB/T 29055-2012
太阳电池用多晶硅片
-
YS/T 43-2011
高纯砷
-
GB/T 30868-2014
碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
-
GB/T 8646-1998
半导体键合铝-1%硅细丝
-
SJ/T 11396-2009
氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
-
GB/T 25074-2010
太阳能级多晶硅
-
YS/T 724-2009
硅粉
-
GB/T 20229-2006
磷化镓单晶
-
GB/T 30656-2014
碳化硅单晶抛光片
-
GB/T 32573-2016
硅粉 总碳含量的测定 感应炉内燃烧后红外吸收法
-
SJ 20866-2003
交叉辗压钼铼合金片规范
-
GB/T 14141-2009
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
-
GB/T 31474-2015
电子装联高质量内部互连用助焊剂
-
GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
-
GB/T 14139-2009
硅外延片
打开设置，点击
执行注册
