收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 35305-2017 太阳能电池用砷化镓单晶抛光片
Monocrystalline gallium arsenide polished wafers for solar cell
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
化合物半导体材料(H83)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 24575-2009
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
-
GB/T 24577-2009
热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
-
GB/T 4058-2009
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
-
GB/T 32651-2016
采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
-
GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
-
GB/T 14844-2018
半导体材料牌号表示方法
-
GB/T 12963-2009
硅多晶
-
GB/T 14146-2009
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
GB/T 31476-2015
电子装联高质量内部互连用焊料
-
SJ/T 11489-2015
低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
-
SJ 20866-2003
交叉辗压钼铼合金片规范
-
YS/T 222-1996
碲锭
-
GB/T 29055-2012
太阳电池用多晶硅片
-
YS 68-2004
砷
-
GB/T 6618-2009
硅片厚度和总厚度变化测试方法
-
SJ/T 11492-2015
光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
-
GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
-
YS/T 986-2014
晶片正面系列字母数字标志规范
-
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
-
SJ/T 11503-2015
碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法