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GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 34481-2017
  • 名称：
    低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
  • 英文名称：
    Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2017-10-14
  • 实施日期：
    2018-07-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《智慧城市 技术参考模型》等425项国家标准的公告】
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分类信息
  • ICS分类：
    【 冶金（77） 金属材料试验（77.040） 】
  • CCS分类：
    【 冶金（H） 金属理化性能试验方法（H20/29） 金属化学性能试验方法（H25） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cm2、直径为75 mm~150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 5252
相关部门
  • 归口单位：
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 主管部门：
    国家标准化管理委员会
  • 起草单位：
    云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 中科院半导体研究所
相关人员
暂无
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