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GB/T 35003-2018 非易失性存储器耐久和数据保持试验方法

Test methods for endurance and data retention of non-volatile memory
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 35003-2018
  • 名称:
    非易失性存储器耐久和数据保持试验方法
  • 英文名称:
    Test methods for endurance and data retention of non-volatile memory
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2018-03-15
  • 实施日期:
    2018-08-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【关于批准发布《半导体集成电路 电压调整器测试方法》等20项国家标准的公告】
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分类信息
  • ICS分类:
    电子学(31) 集成电路、微电子学(31.200)
  • CCS分类:
    电子元器件与信息技术(L) 微电路(L55/59) 半导体集成电路(L56)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    暂无
  • 适用范围:
    本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
  • 引用标准:
    GB/T 17574-1998
相关部门
  • 起草单位:
    中国电子技术标准化研究院 上海复旦微电子集团股份有限公司 中国电子科技集团公司第五十八研究所 成都华微电子科技有限公司 北京兆易创新科技股份有限公司 深圳国微电子有限公司
  • 归口单位:
    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
  • 主管部门:
    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
相关人员
暂无
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