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GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 36646-2018
  • 名称：
    制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
  • 英文名称：
    Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2018-09-17
  • 实施日期：
    2019-01-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《中小学校普通教室照明设计安装卫生要求》等454项国家标准和6项国家标准修改单的公告】
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分类信息
  • ICS分类：
    【 电子学（31） 电子电信设备用机电元件（31.220） 】
  • CCS分类：
    【 电子元器件与信息技术（L） 电子工业生产设备（L95/99） 电子工业生产设备综合（L95） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”）的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
    本标准适用于制备直径50.8 mm~152.4 mm氮化物半导体材料的HVPE设备。
  • 引用标准：
    暂无
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  • 引用标准：
    GB/T 191-2008 GB/T 3768-2017 GB/T 5080.7-1986 GB 5226.1-2008 GB/T 6388-1986 GB/T 14264-2009 GB 50073-2013 GB/T 50087-2013 GB 50646-2011 SJ/T 37-1996
相关部门
  • 起草单位：
    中国电子技术标准化研究院 东莞市中镓半导体科技有限公司
  • 主管部门：
    全国信息技术标准化技术委员会(SAC/TC 28)
  • 归口单位：
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
相关人员
暂无
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