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GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法

Probe test method for light emitting diode chips
基本信息
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了发光二极管芯片(以下简称“芯片”)光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 引用标准：
    SJ/T 11394-2009 SJ/T 11395-2009 SJ/T 11399-2009
相关部门
  • 起草单位：
    中国电子技术标准化研究院 广州赛西标准检测研究院有限公司 厦门市三安光电科技有限公司 三安光电股份有限公司
  • 归口单位：
    中华人民共和国工业和信息化部(电子)
  • 主管部门：
    中华人民共和国工业和信息化部(电子)
相关人员
暂无
关联标准