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GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法

Probe test method for light emitting diode chips
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 36613-2018
  • 名称:
    发光二极管芯片点测方法
  • 英文名称:
    Probe test method for light emitting diode chips
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2018-09-17
  • 实施日期:
    2019-01-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【关于批准发布《中小学校普通教室照明设计安装卫生要求》等454项国家标准和6项国家标准修改单的公告】
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分类信息
  • ICS分类:
    电子学(31) 光电子学、激光设备(31.260)
  • CCS分类:
    电子元器件与信息技术(L) 半导体分立器件(L40/49) 微波、毫米波二、三极管(L45)
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    暂无
  • 适用范围:
    本标准规定了发光二极管芯片(以下简称“芯片”)光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测条件和点测方法。本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
  • 引用标准:
    SJ/T 11394-2009 SJ/T 11395-2009 SJ/T 11399-2009
相关部门
  • 起草单位:
    中国电子技术标准化研究院 广州赛西标准检测研究院有限公司 厦门市三安光电科技有限公司 三安光电股份有限公司
  • 归口单位:
    中华人民共和国工业和信息化部(电子)
  • 主管部门:
    中华人民共和国工业和信息化部(电子)
相关人员
暂无
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