收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 4937.17-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐照
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 17: Neutron irradiation基本信息
- 标准号:GB/T 4937.17-2018
- 名称:半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐照
- 英文名称:Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 17: Neutron irradiation
- 状态:现行
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:2018-09-17
- 实施日期:2019-01-01
- 废止日期:暂无
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:暂无
- 适用范围:GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用,是一种破坏性试验。试验目的如下:a)〓检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系;b)〓确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内(见第4章)。
- 引用标准:暂无
相关标准
- 采用标准:IEC 60749-17:2003 半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐照 (等同采用 IDT)
相关部门
- 起草单位:中国科学院新疆理化技术研究所 中国电子科技集团公司第十三研究所 西北核技术研究所
- 归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
- 主管部门:全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
相关人员
暂无
关联标准
- SJ 50033/155-2002 半导体分立器件 3DG252型硅微波线性晶体管详细规范
- GB/T 20995-2007 输配电系统的电力电子技术 静止无功补偿装置用晶闸管阀的试验
- GB/T 15852.2-2012 信息技术 安全技术 消息鉴别码 第2部分:采用专用杂凑函数的机制
- GB/T 4937.15-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分:通孔安装器件的耐焊接热
- GB/T 4937.22-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分:键合强度
- GB/T 4589.1-1989 半导体器件 分立器件和集成电路总规范 (可供认证用)
- GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
- SJ 1609-1980 硅双基极二极管分压比的测试方法
- GB/T 12300-1990 功率晶体管安全工作区测试方法
- GB/T 249-1989 半导体分立器件型号命名方法
- GB/T 20870.1-2007 半导体器件 第16-1部分:微波集成电路 放大器
- GB/T 4937.13-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾
- GB/T 4937.1-2006 半导体器件 机械和气候试验方法 第1部分: 总则
- SJ 1602-1980 硅双基极二极管测试方法总则
- SJ 1604-1980 硅双基极二极管发射极与第一基极间反向电流的测试方法
- GB/T 4937.11-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分:快速温度变化 双液槽法
- GB 11499-1989 半导体分立器件文字符号
- GB/T 18910.41-2008 液晶显示器件 第4-1部分:彩色矩阵液晶显示模块 基本额定值和特性
- SJ 1606-1980 硅双基极管峰点电流的测试方法
- GB/T 4937.14-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分:引出端强度(引线牢固性)