收藏到云盘
纠错反馈

GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法

Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 36474-2018
  • 名称：
    半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
  • 英文名称：
    Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2018-06-07
  • 实施日期：
    2019-01-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《工业硼酸》等393项国家标准和7项国家标准外文版的公告】
分类信息
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。
    本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 引用标准：
    GB/T 17574-1998
相关部门
  • 起草单位：
    中国电子技术标准化研究院 西安紫光国芯半导体有限公司 上海高性能集成电路设计中心 武汉芯动科技有限公司 成都华微电子科技有限公司
  • 归口单位：
    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
  • 主管部门：
    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
相关人员
暂无
关联标准