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GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
基本信息
-
标准号：
GB/T 36474-2018
-
名称：
半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
-
英文名称：
Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
-
状态：
现行
-
类型：
国家标准
-
性质：
推荐性
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发布日期：
2018-06-07
-
实施日期：
2019-01-01
-
废止日期：
暂无
-
相关公告：
实施公告【关于批准发布《工业硼酸》等393项国家标准和7项国家标准外文版的公告】
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分类信息
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ICS分类：
【
电子学（31）
集成电路、微电子学（31.200）
】
-
CCS分类：
【
电子元器件与信息技术（L）
微电路（L55/59）
半导体集成电路（L56）
】
-
行标分类：
暂无
描述信息
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相关部门
-
起草单位：
中国电子技术标准化研究院
西安紫光国芯半导体有限公司
上海高性能集成电路设计中心
武汉芯动科技有限公司
成都华微电子科技有限公司
-
归口单位：
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC
78)
-
主管部门：
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC
78)
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