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YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法

基本信息
  • 标准号：
    YS/T 679-2018
  • 名称：
    非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法
  • 英文名称：
    暂无
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    行业标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2018-10-22
  • 实施日期：
    2019-04-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【2019年第1号(总第229号)】
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分类信息
  • ICS分类：
    【 冶金（77） 金属材料试验（77.040） 】
  • CCS分类：
    【 冶金（H） 金属理化性能试验方法（H20/29） 金属物理性能试验方法（H21） 】
  • 行标分类：
    【 有色冶金（YS） 】
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了非本征半导体材料中少数载流子扩散长度的测试方法，包含稳态光电压法、恒定光通量法和数字示波器记录法。
    本标准适用于非本征半导体材料，如硅单晶片或相同导电类型重掺衬底上沉积的、已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测试，测试样品（外延层）的厚度大于扩散长度的4倍。本标准可测试样品的电阻率和载流子寿命的极限尚未确定，但已对电阻率0.1Ω·cm～50Ω·cm、载流子寿命短至2ns的P型和N型硅样品进行了测试。本标准还可通过测试扩散长度后计算出硅中的铁含量。
    本标准也可用于测试其他半导体材料，如砷化镓样品（需同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品制备工艺）等的有效扩散长度，评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品中的有效扩散长度，还可用于测试硅片洁净区宽度，以及太阳能电池和其他光学器件的有效扩散长度。
  • 引用标准：
    暂无
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暂无
相关部门
暂无
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暂无
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