收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 12965-2018 硅单晶切割片和研磨片
Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
归口单位:
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
203/SC
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
-
起草单位:
有研半导体材料有限公司
浙江金瑞泓科技股份有限公司
上海合晶硅材料有限公司
浙江海纳半导体有限公司
浙江省硅材料质量检验中心
天津市环欧半导体材料技术有限公司
-
主管部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
相关人员
关联标准
-
GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
-
GB/T 29504-2013
300mm 硅单晶
-
GB/T 35310-2017
200mm硅外延片
-
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
-
YS/T 26-1992
硅片边缘轮廓检验方法
-
GB/T 32573-2016
硅粉 总碳含量的测定 感应炉内燃烧后红外吸收法
-
GB/T 26069-2010
硅退火片规范
-
YS/T 557-2006
压电铌酸锂单晶体声波衰减测试方法
-
GB/T 1558-1997
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
-
GB/T 41652-2022
刻蚀机用硅电极及硅环
-
SJ/T 11504-2015
碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
-
GB/T 16596-2019
确定晶片坐标系规范
-
GB/T 1555-2009
半导体单晶晶向测定方法
-
GB/T 31854-2015
光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
-
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
-
GB/T 29852-2013
光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
-
SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
-
GB/T 11094-2007
水平法砷化镓单晶及切割片
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
-
GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法