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GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法

Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 26068-2018
  • 名称：
    硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
  • 英文名称：
    Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2018-12-28
  • 实施日期：
    2019-11-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《农产品基本信息描述 谷物类》等国家标准和国家标准修改单的公告】
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分类信息
  • ICS分类：
    【 冶金（77） 金属材料试验（77.040） 】
  • CCS分类：
    【 冶金（H） 金属理化性能试验方法（H20/29） 金属物理性能试验方法（H21） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或p型硅片(当硅片厚度大于1 mm时，通常称为硅块)载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下，本标准也可用于测试切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常，被测样品的室温电阻率下限在0.05 Ω·cm~10 Ω·cm之间，由检测系统灵敏度的极限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1 μs，可测的最短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化程度。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 代替标准：
    GB/T 26068-2010
  • 引用标准：
    GB/T 1550 GB/T 1551 GB/T 1553 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 11446.1-2013 GB/T 13389 GB/T 14264 YS/T 679 SEMI MF978
相关部门
  • 归口单位：
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 203/SC 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
  • 起草单位：
    中国计量科学研究院 有研半导体材料有限公司 北京合能阳光新能源技术有限公司 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 浙江省硅材料质量检验中心 广州市昆德科技有限公司 瑟米莱伯贸易(上海)有限公司 天津市环欧半导体材料技术有限公司
  • 主管部门：
    国家标准化管理委员会
相关人员
暂无
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