收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
Designations of semiconductor materials
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
半金属与半导体材料综合(H80)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
归口单位:
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
203/SC
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC
-
起草单位:
有色金属技术经济研究院
南京国盛电子有限公司
有研半导体材料有限公司
江苏中能硅业科技发展有限公司
苏州协鑫光伏科技有限公司
浙江海纳半导体有限公司
浙江省硅材料质量检验中心
东莞中镓半导体科技有限公司
天津市环欧半导体材料技术有限公司
-
主管部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
相关人员
关联标准
-
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
-
GB/T 40561-2021
光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
GB/T 11071-2006
区熔锗锭
-
YS/T 26-1992
硅片边缘轮廓检验方法
-
GB/T 26066-2010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
-
SJ/T 11396-2009
氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片
-
GB/T 12962-1996
硅单晶
-
GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
-
GB/T 12964-2018
硅单晶抛光片
-
GB/T 11072-2009
锑化铟多晶、单晶及切割片
-
YS/T 28-2015
硅片包装
-
GB/T 35308-2017
太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片
-
SJ/T 11501-2015
碳化硅单晶晶型的测试方法
-
GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
-
GB/T 8750-1997
半导体器件键合金丝
-
GB/T 26069-2022
硅单晶退火片
-
YS/T 43-1992
高纯砷
-
GB/T 34479-2017
硅片字母数字标志规范
-
GB/T 25076-2018
太阳能电池用硅单晶
-
GB/T 30868-2014
碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法