收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片
Multicrystalline silicon wafers for photovoltaic solar cell
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
元素半导体材料(H82)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
-
归口单位:
2)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC
-
起草单位:
有色金属技术经济研究院
英利能源(中国)有限公司
宜昌南玻硅材料有限公司
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
镇江仁德新能源科技有限公司
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
扬州荣德新能源科技有限公司
苏州协鑫光伏科技有限公司
-
主管部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC
203)
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员
相关人员
关联标准
-
GB/T 4058-2009
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
-
GB/T 14146-2009
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
-
SJ/T 11491-2015
短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
-
GB 12965-1991
硅单晶切割片和研磨片
-
GB/T 24575-2009
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
-
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
-
GB/T 8646-1998
半导体键合铝-1%硅细丝
-
GB/T 30861-2014
太阳能电池用锗衬底片
-
GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
-
GB/T 24579-2009
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
-
GB/T 11072-2009
锑化铟多晶、单晶及切割片
-
GB/T 32277-2015
硅的仪器中子活化分析测试方法
-
GB/T 31474-2015
电子装联高质量内部互连用助焊剂
-
GB/T 30868-2014
碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
-
GB/T 37053-2018
氮化镓外延片及衬底片通用规范
-
GB/T 40566-2021
流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
T/IAWBS 001-2017
碳化硅单晶
-
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
-
YS/T 651-2007
二氧化硒
-
GB/T 30856-2014
LED外延芯片用砷化镓衬底