收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
化合物半导体材料(H83)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 2881-2014e
工业硅
-
GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
-
GB/T 12965-1996
硅单晶切割片和研磨片
-
SJ/T 11492-2015
光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
-
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
-
GB/T 19199-2003
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
-
SJ/T 11502-2015
碳化硅单晶抛光片规范
-
GB/T 17170-1997
非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
-
GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
-
GB/T 30855-2014
LED外延芯片用磷化镓衬底
-
GB/T 29507-2013
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
-
GB/T 24577-2009
热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
-
GB/T 40566-2021
流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
GB/T 24579-2009
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
-
YS/T 724-2009
硅粉
-
GB/T 12964-1996
硅单晶抛光片
-
GB/T 40561-2021
光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
GB/T 12965-2005
硅单晶切割片和研磨片
-
GB/T 37053-2018
氮化镓外延片及衬底片通用规范
-
GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法