收藏到云盘
纠错反馈
GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
基本信息
分类信息
-
ICS分类:
【
电气工程(29)
半导体材料(29.045)
】
-
CCS分类:
【
冶金(H)
半金属与半导体材料(H80/84)
化合物半导体材料(H83)
】
-
行标分类:
暂无
描述信息
相关标准
相关部门
相关人员
关联标准
-
GB/T 11069-2006
高纯二氧化锗
-
GB/T 24579-2009
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
-
GB/T 20229-2022
磷化镓单晶
-
GB/T 30858-2014
蓝宝石单晶衬底抛光片
-
GB/T 1555-2009
半导体单晶晶向测定方法
-
YS/T 724-2009
硅粉
-
GB/T 26066-2010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
-
GB/T 41325-2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
-
GB/T 6620-2009
硅片翘曲度非接触式测试方法
-
SJ/T 11500-2015
碳化硅单晶晶向的测试方法
-
GB/T 12964-2018
硅单晶抛光片
-
SJ/T 11495-2015
硅中间隙氧的转换因子指南
-
YS/T 222-1996
碲锭
-
YS/T 792-2012
单晶炉用碳/碳复合材料坩埚
-
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
-
GB/T 30854-2014
LED发光用氮化镓基外延片
-
GB/T 12964-2003
硅单晶抛光片
-
GB/T 40561-2021
光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
-
SJ/T 11494-2015
硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
-
GB/T 30652-2014
硅外延用三氯氢硅