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GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法

Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
基本信息
  • 标准号：
    GB/T 8760-2020
  • 名称：
    砷化镓单晶位错密度的测试方法
  • 英文名称：
    Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
  • 状态：
    现行
  • 类型：
    国家标准
  • 性质：
    推荐性
  • 发布日期：
    2020-09-29
  • 实施日期：
    2021-08-01
  • 废止日期：
    暂无
  • 相关公告：
    实施公告【关于批准发布《金属材料 夏比摆锤冲击试验方法》等106项推荐性国家标准和5项国家标准修改单的公告】
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分类信息
  • ICS分类：
    【 冶金（77） 金属材料试验（77.040） 】
  • CCS分类：
    【 冶金（H） 金属理化性能试验方法（H20/29） 金属物理性能试验方法（H21） 】
  • 行标分类：
    暂无
描述信息
  • 前言：
    暂无
  • 适用范围：
    本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。
    本标准适用于{100}、{111}面砷化镓单晶位错密度的测试，测试范围为0 cm-2～100 000 cm-2。
  • 引用标准：
    暂无
相关标准
  • 代替标准：
    GB/T 8760-2006
  • 引用标准：
    GB/T 14264
相关部门
  • 归口单位：
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 起草单位：
    广东先导稀材股份有限公司 国合通用测试评价认证股份公司 有研光电新材料有限责任公司 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 中国电子科技集团第四十六研究所 雅波拓(福建)新材料有限公司
  • 发布部门：
    国家标准化管理委员会
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暂无
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