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GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide基本信息
- 标准号:GB/T 8760-2020
- 名称:砷化镓单晶位错密度的测试方法
- 英文名称:Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
- 状态:现行
- 类型:国家标准
- 性质:推荐性
- 发布日期:2020-09-29
- 实施日期:2021-08-01
- 废止日期:暂无
- 相关公告:
分类信息
- ICS分类:【 】
- CCS分类:【 】
- 行标分类:暂无
描述信息
- 前言:暂无
- 适用范围:本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。
本标准适用于{100}、{111}面砷化镓单晶位错密度的测试,测试范围为0 cm-2~100 000 cm-2。 - 引用标准:暂无
相关标准
- 代替标准:GB/T 8760-2006
- 引用标准:GB/T 14264
相关部门
- 归口单位:2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
- 起草单位:广东先导稀材股份有限公司 国合通用测试评价认证股份公司 有研光电新材料有限责任公司 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 中国电子科技集团第四十六研究所 雅波拓(福建)新材料有限公司
- 发布部门:国家标准化管理委员会
相关人员
暂无
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