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GB/T 39145-2020 硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers—Inductively coupled plasma mass spectrometry
基本信息
  • 标准号:
    GB/T 39145-2020
  • 名称:
    硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
  • 英文名称:
    Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers—Inductively coupled plasma mass spectrometry
  • 状态:
    现行
  • 类型:
    国家标准
  • 性质:
    推荐性
  • 发布日期:
    2020-10-11
  • 实施日期:
    2021-09-01
  • 废止日期:
    暂无
  • 相关公告:
    实施公告【关于批准发布《标准轨距铁路限界第1部分:机车车辆限界》等106项国家标准和2项国家标准修改单的公告】
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分类信息
  • ICS分类:
    【 冶金(77) 金属材料试验(77.040) 】
  • CCS分类:
    【 冶金(H) 金属化学分析方法(H10/19) 半金属及半导体材料分析方法(H17) 】
  • 行标分类:
    暂无
描述信息
  • 前言:
    暂无
  • 适用范围:
    本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。
    本标准适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定,测定范围为108 cm-2~1013 cm-2。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。
    注:硅片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。
  • 引用标准:
    暂无
相关标准
  • 引用标准:
    GB/T 6624 GB/T 14264 GB/T 17433 GB/T 19921 GB/T 25915.1-2010 GB/T 37837 JJF 1159 SEMI F63
相关部门
  • 归口单位:
    2) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC
  • 起草单位:
    有色金属技术经济研究院 南京国盛电子有限公司 有研半导体材料有限公司 浙江金瑞泓科技股份有限公司 上海合晶硅材料有限公司 无锡华瑛微电子技术有限公司 龙腾半导体有限公司 厦门科鑫电子有限公司
  • 发布部门:
    国家标准化管理委员会
相关人员
暂无
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